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半导体行业的机械加工:有哪些加工、从大件到小件、日本大型企业、机床与刀具、新技术、进入方法

尺寸合格之后,还要过“脏污、气体、泄漏”这一关。能把切削前后的工序也一起承担,就很有竞争力哦

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半导体行业的机械加工:有哪些加工、从大件到小件、日本大型企业、机床与刀具、新技术、进入方法

半导体制造设备的投资持续创历史新高,日本设备厂商的销售额预计在 2026 年度超过 6.5 万亿日元。这些设备的内部,是铝制真空腔体、经电解抛光的不锈钢气体零件、陶瓷和石英的精密零件等,可以说是机械加工零件的集合体。本文根据制造商资料、SEMI 标准、专利、J-STAGE 等论文、行业团体和各公司的公开资料,整理了有哪些加工、从大件到小件的零件及所需精度、各种材料的加工要点、尺寸以外所要求的清洁度与泄漏、所用的机床与刀具、日本国内的大型企业、论文中的新技术,以及进入的入口、顺序与门槛(截至 2026 年 10 月)。

等离子体气体接头与管路SUS316L、电解抛光(接气面 Ra 0.13 µm 示例)气体块SUS316L 整体切削,内有交叉的细孔腔体本体A6061、A5052 整体切削+阳极氧化、热喷涂晶圆进出口与闸阀连接。密封面严禁划伤顶针顶起晶圆的细销排气口通往真空泵。这里也是切削加工的法兰喷淋头(电极板)也有数万个 φ0.1~0.6 mm 孔的设计。Al、Si、SiC晶圆(φ300 mm)晶圆本身也要经过磨削、抛光、划片加工聚焦环Si、SiC、石英。被等离子体侵蚀的耗材静电卡盘氧化铝、AlN 陶瓷+冷却板波纹管SUS316L 焊接波纹管。密封上下移动的轴示意图。零件形状、材料和数值取自专利和制造商资料中的例子,因设备而异。
等离子体刻蚀设备腔体的剖面(示意图)。晶圆周围由切削加工的铝、电解抛光的不锈钢、陶瓷,以及石英、硅、SiC 的零件构成。喷淋头的孔数与孔径依据专利[34],上部电极与聚焦环依据专利[35],气体零件的表面粗糙度依据制造商规格[25] 。

为什么现在要关注半导体

根据 SEMI 的统计,2025 年全球半导体制造设备销售额达到 1,351 亿美元(同比增长 15%),创历史新高。2026 年预计为 1,659 亿美元(增长 23.2%),2028 年有望增长到 2,295 亿美元[1][2]。2026 年 4~6 月季度的销售额也达到 405 亿美元,连续 2 个季度刷新历史纪录[3]。拉动增长的是面向 AI 服务器的先进逻辑芯片,以及以 HBM 为中心的存储器投资[4]。

日本设备厂商的销售额(日资企业在日本国内外的销售额),根据日本半导体制造装置协会(SEAJ)2026 年 7 月的预测,将从 2025 年度的实际值 5.1986 万亿日元增长到 2026 年度的 6.5502 万亿日元(增长 26%),2027 年度 7.4017 万亿日元,2028 年度 7.7718 万亿日元。面向日本国内工厂的需求(日本市场)预计也将在 2028 年度首次超过 2 万亿日元[4]。

日本制半导体制造设备销售额(亿日元,年度)实际值预测(7 月)日本市场(面向国内工厂)020,00040,00060,00080,0001.6162.0172.2182.1192.4203.4213.9223.7234.8245.2256.6267.4277.828柱上数字单位为万亿日元。横轴为年度(16=2016 年度)。2026~2028 年度为 2026 年 7 月的预测。
日本制半导体制造设备的销售额(日资企业在日本国内及海外的销售),以及面向日本国内工厂的销售额(日本市场。含外资设备,因此不是日本制部分的内含数)。依据 SEAJ 需求预测(2026 年 7 月)的表格[4]。

在日本国内,政府决定对熊本的台积电工厂(JASM)第 1 工厂最多补助 4,760 亿日元、第 2 工厂最多补助 7,320 亿日元[7];北海道千岁市的 Rapidus 计划于 2027 年度下半年量产 2nm 逻辑芯片[8][9]。政府提出的框架是:到 2030 年度,以 10 万亿日元以上的公共支援,带动官民合计超过 50 万亿日元的投资[6]。截至 2024 年 9 月,熊本已有 68 家企业宣布进驻或扩建[7];截至 2026 年 6 月,千岁及其周边已有 62 家企业确定设点[9]。

2025 年设备的交付地区销售额同比
中国493 亿美元−0.5%
台湾315 亿美元+90%
韩国258 亿美元+26%
北美109 亿美元−20%
日本95 亿美元+22%
欧洲29 亿美元−41%

SEMI 的分地区数据(设备交付的地区)[1]。中国、台湾、韩国合计占全体的 79%。面向日本国内工厂的需求(2025 年度 1.4395 万亿日元)规模不到日本制设备销售额的三成[4],因此日本国内的零件加工业务也受亚洲工厂投资的左右。

不过波动很大雷曼危机后的 2009 年,全球设备销售额比上一年几乎减半(约减少 46%,1~3 月季度同比减少 71%),面向日本的销售约减少 68%[5]。面向日本国内工厂的需求在 2019 年度减少了 29.5%[4]。预测本身也会变动,SEAJ 对 2026 年度的预测在 1 月到 7 月的半年间上调了 1 万亿日元以上[4]。越是在景气好的现在增加设备的企业,越需要提前考虑下滑年份的资金周转。

半导体的机械加工分为 3 个领域

一说到“半导体加工”,人们往往会想到晶圆上的微细加工(曝光、刻蚀),但那是在设备内部由化学和光完成的工作。车床、加工中心、磨床的用武之地,大致分为以下 3 类。

领域加工什么主要材料业务特点
① 设备零件真空腔体、机架与框架、工作台、闸阀、气体块与接头、搬运机器人的零件铝(A5052、A6061)、不锈钢(SUS316L)、钢焊接结构按设备厂商的图纸制造。易受景气波动影响,但量大
② 工艺零件(耗材)喷淋头(电极板)、聚焦环、静电卡盘、石英管与晶舟硅、SiC、石英,以及氧化铝、AlN 等陶瓷会被等离子体或热侵蚀,需要定期更换。只要工厂在运转,每月都有订单。也有再生(重新制作)的业务[35]
③ 晶圆与芯片本身晶锭切片,磨削、研磨(lapping)、抛光,背面减薄,划片硅、SiC、GaN、玻璃专用设备与刀具的世界。加工企业多是从设备、刀具、夹具的一侧参与

车削、加工中心企业最容易进入的是 ①;擅长磨削或硬脆材料加工的企业是 ②;③ 则以设备、刀具、砂轮厂商和研究机构为主。本文以 ① 和 ② 为主,③ 则介绍“正在发生什么”以及新技术。

从大件到小件:各零件的尺寸与要求

机架、框架真空腔体底板气体块、阀体陶瓷零件石英、SiC 环接头、销、螺钉大件:1~数 m、数十~数百 kg龙门五面加工机、卧式镗床、钢结构焊接、大型阳极氧化槽中件:数百 mm立式、卧式、五轴加工中心精密零件、小件:φ300 mm 级~数 mm磨床、超声加工、电火花、自动车床示意图。尺寸未按同一比例。分类与机床为本文的大致标准。
半导体制造设备零件一览(示意图)。大件需要龙门五面加工机和大型表面处理槽,精密零件多为陶瓷、石英等硬而易碎的材料。
零件材料尺寸示例要求(示例)主要机床
机架、框架钢焊接结构数 m抑制焊接变形,一次加工出安装面。从焊接制作→机械加工→涂装→组装一条龙[41]五面加工机(X 行程 6,700 mm 级的例子)、卧式镗床
真空腔体A5052、A6061、SUS316L从 φ500~600 mm 的内部零件,到长 2.7 m 级[42][40]几何公差 0.01 mm 以下、Ra 0.2~0.4 µm 的例子[42]。密封面的划伤、磕碰是真空泄漏的根源五轴、龙门加工中心,大型阳极氧化槽
闸阀不锈钢、铝口径 250 mm 级,每台 50 kg[31]本体泄漏率低于 5×10-10 mbar·L/s 等规格[31]加工中心、焊接、泄漏检测
气体块、接头SUS316L(双重熔炼材)数 mm~一百几十 mm接气面以电解抛光达到 Ra 0.13 µm,并通过分析确认表面 Cr/Fe 比 2.0 以上等[25]CNC 自动车床、车铣复合机,电解抛光,TIG 焊
喷淋头(电极板)铝、硅、SiC超过 φ300 mm 的板材。也有数万个 φ0.1~0.6 mm 孔的设计[34]孔径与孔位一致,孔内无毛刺、无污物高速加工中心的小径钻头、细孔电火花、激光
聚焦环Si、CVD-SiC、石英外径 φ360~380 mm 的例子[35]被侵蚀后更换。SiC 也有重新堆积再制的方法[35]平面、外圆磨削,金刚石刀具
静电卡盘、工作台氧化铝、AlNφ300〜500 mm氧化铝 φ500 mm 加工到平面度 1 µm 的例子[37]平面磨削、研磨,超声加工
石英管、晶舟石英玻璃也有长约 1 m 的孔的最小直径 φ0.3 mm(加工中心、激光),一直做到焊接、退火[36]加工中心、激光、火焰加工
销、螺钉、小件陶瓷、树脂、SUS数 mm~数量多,但清洁度要求与大件相同自动车床、磨削

数值取自制造商资料、专利和加工实例,因设备和客户而异。

大件的制约不在“机床”,而在“槽”和“房间”大型腔体即使能加工,如果放不进阳极氧化或热喷涂的处理槽、清洗机、洁净室、氦检漏室,也无法交货。有的企业可处理长 2.7 m、400 kg 的工件,这可以作为一个参考标准[40]。自己没有的工序,就与处理企业打包一起提案。

按材料划分的加工要点

铝(A5052、A6061):为真空打造“表面”

腔体和板件大多是铝的整体切削件。在半导体搬运设备用的铝件上,通过改进车刀、切削油和工序,把表面从 Ra 56 nm 改善到 23 nm 后,原本深约 100 nm 的加工变质层就看不到了[43]。A5052 的放气率,从普通精加工的 8.4×10-12 ,到表面加工得更细后的 3.9×10-12,再到化学抛光后的 2.8×10-12 Pa·m³/(s·m²),逐步下降[44]。表面加工得更细,就意味着真空抽得更快、气体更不易释放,因此表面粗糙度不是外观,而是性能指标。

  • 材料方面,已有面向半导体、液晶设备、收紧了平面度和板厚公差的 5052 系厚板[39]。选用变形小的材料,可以减少薄壁件的翘曲。
  • 主轴 20,000 min-1 级的高速机床,配合 DLC 涂层硬质合金立铣刀(不易粘铝)或 PCD 铣刀,是标准配置[48][57][58][59]。
  • 需要不产生划伤、磕碰的装夹(树脂垫、夹具面),以及不留毛刺的刀具路径。

不锈钢(SUS316L):电解抛光和焊接也是工作的一部分

气体流经的零件,是切削减少了非金属夹杂物的 316L 双重熔炼材(VAR、VIM-VAR),再进行电解抛光和钝化。某制造商超高纯度规格的一个例子是:接气面 Ra 0.13 µm、表面 Cr/Fe 比 2.0 以上、氧化膜 15 Å 以上、清洗水电阻率 17.5 MΩ·cm 以上,组装在洁净室(ISO 5 级)中进行[25]。材料、表面、粗糙度的测量方法、泄漏、焊接,都以 SEMI 标准(F20、F19、F1、F78 等)为共同语言[28][27][29][30]。

陶瓷、石英、硅、SiC:切削而不崩裂

硬而易碎的材料,减小切深后,可以不崩裂地在“延性域”切削。其分界(临界切深)据说约为 0.1 µm[70];按理论公式,它与断裂韧性的 2 次方成正比、与硬度的 3 次方成反比(BK7 玻璃约 60 nm,硬质合金约 160 nm。但可能与实测值有较大偏差)[71]。即使看起来是镜面,表层也可能残留缺陷[70];根据则武的测量,SiC 晶圆的磨削损伤层在粗磨时约 2.6 µm,精磨时为 0.6~1.2 µm[65]。

  • 刀具:电镀金刚石专用刀具(钻头、切槽、丝锥 M3~M12),金刚石涂层、PCD 立铣刀和小径钻头[53][54]。
  • 时间:用 φ0.5 的金刚石涂层钻头在氧化铝上钻深 5 mm 的孔,有每孔约需 4 分钟的例子[56]。考虑到喷淋头的孔数,报价取决于单个孔的加工时间。
  • 课题:传统砂轮刀具磨损大、形状精度不稳定,这已成为国家研发项目的课题[72]。
  • 石英:按切断→加工中心、激光磨削→抛光→开槽→火焰加工(焊接、退火)→清洗的顺序,最小孔径 φ0.3 mm[36]。

硬脆材料零件是日本零件厂商的强项,京瓷表示其在设备用陶瓷零件上拥有 40~50% 的份额[38]。

不是“削完就结束”:清洁度、表面、泄漏、变更管理

半导体零件最让人困惑的是,即使尺寸合格,也会因污染、颗粒、气体、泄漏而被判为不合格。在工厂里,一个异物或微量金属就会导致晶圆不良,因此对零件也要求同样的思路。

项目内容加工企业要做的事
精密清洗超声清洗和多级纯水漂洗。纯水电阻率 17.5 MΩ·cm 以上等的管理[25]选择切削油(不易残留的油)。自己洗不了就与清洗企业合作
洁净包装清洗后在洁净室里逐个装入密封袋,并标示“使用前不要开封”。不挥发残留物 66 mg/m² 以下的例子[26]双层袋、护帽保护,不开袋即可读取的标识
表面状态接气面的粗糙度、Cr/Fe 比、缺陷数(SEMI F19)[27]确定电解抛光的外包商,并附上测量数据
泄漏闸阀本体低于 5×10-10 mbar·L/s[31],管路单元全数检测 1×10-10 Pa·m³/s 以下[32]氦检漏仪(最小可检漏率 5×10-13 Pa·m³/s 的例子[69])。数值要注明是真空法还是吸枪法
表面处理阳极氧化、热喷涂(氧化钇等)、镀镍。由于会被等离子体侵蚀并产生颗粒,材料的选择正在研究中[45]确认处理企业的槽尺寸,以及前后的清洗
变更管理变更工序、材料、外包商时,要事先通知客户(电子元器件行业的标准 J-STD-046A 等)[33]不擅自变更机床、刀具、油、外包商。要变更就先申请

“改成切得更快”也属于变更半导体工厂非常重视按既定条件持续生产同样的产品。换了切削油,残留物的种类就会变;换了外包的电镀企业,膜层就会变。改进的原则是先申请再实施。这与飞机零件的首件检验是同样的思路(如何进入飞机零件加工领域)。

半导体零件加工所用的机床与刀具

用途机床示例(制造商的公开资料)
大型铝件、机架龙门五面加工机、卧式镗床门宽 2,650/3,150 mm,20,000 min-1 的高速主轴头示例(大隈 MCR-S)[47]
腔体内部零件五轴立式加工中心φ500~600 mm 零件以 5 面一次装夹完成粗加工到精加工;原先分工序需约 8 小时的加工,交付周期缩短约 50%(大隈的用户案例)[42]
铝的中小件高速立式加工中心主轴 20,000 min-1 为标准,也可选配 30,000 min-1 (牧野 V56i)[48]
陶瓷、玻璃超声辅助加工机在旋转刀具上叠加超声振动,使加工力最多降低约 50%(DMG森精机 ULTRASONIC)[49]
细孔细孔电火花加工机电极 φ0.08 mm(选配 φ0.05)(沙迪克 K1BL)[51],最小 φ0.038 mm(三菱电机 VH10)[52]。加工出的孔比电极大 0.1~0.3 mm[50]
晶圆磨削晶圆磨床8 英寸、双轴全自动机(迪思科 DFG8640)[60],从磨削到抛光、贴膜一体完成(东京精密 PG3000RMⅡ)[61]
晶圆切割划片机、多线切割机60,000 rpm 的对置双轴(东京精密 AD3000T-PLUS)[62],面向 SiC 晶锭,最大 14 英寸(Takatori)[63]
测量三坐标测量机、检漏仪长度测量误差 (0.23+0.7L/1000) µm(三丰 LEGEX 匠)[68],最小可检漏率低于 5×10-13 Pa·m³/s(爱发科 HELIOT 900)[69]
被切削材料刀具示例(制造商的公开资料)
铝DLC 涂层硬质合金立铣刀、PCD 铣刀三菱综合材料 ALIMASTER 的 DLC 涂层品[57],OSG AE-VTS-N[58],住友电工硬质合金 ALNEX[59]
陶瓷、石英电镀金刚石刀具,金刚石涂层及 PCD 立铣刀旭金刚石工业 CERAMATE[53]。日进工具的金刚石涂层球头立铣刀 R0.3 加工硬质合金,转速 30,000 min-1、切深 2 µm,精加工至 Ra 0.05~0.15 µm 的实例[55]
小径孔(硬脆材料)金刚石涂层钻头佑能工具 UDCMX φ0.5 在氧化铝上钻深 5 mm 的孔 100 个,第 100 个孔的孔口仍无崩边[56]
SiC 晶圆磨削砂轮则武的新结合剂使粗磨的砂轮磨损降至以往的约 1/4[65]。精磨后达到 1 nm 级[64]
晶圆、封装划片刀厚 0.015~0.3 mm 的电铸刀片(迪思科 NBC-Z)[66]。超声划片使 SiC 的崩边减少约一半[67]

以上条件均为各公司在其试验条件下的一例。请勿将针对其他工件材料的条件(例如加工硬质合金的条件)直接用于陶瓷。

切削条件的计算见 计算器,五轴加工的基础见 五轴加工,刀具如何磨损见 刀具寿命一文中。

日本国内的大型企业:订单来源与零件大型企业

加工订单有的直接来自设备厂商,有的经由设备厂商的协作企业或零部件厂商流转而来。考虑营销对象时,要抓住“由谁发图纸”和“那家工厂在哪里”这两点。销售额为根据各公司财报的最新全年数据。

制造设备厂商(零部件的发包方)

公司主要设备主要生产基地销售额(最新财年)
东京电子成膜、涂胶显影、刻蚀、清洗山梨(韮崎)、岩手(奥州)、宫城(大和町)、熊本(合志)2万4,435亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[92]
迪恩士(SCREEN Holdings)晶圆清洗、涂胶显影、热处理滋贺(彦根、野洲)6,057亿日元,其中半导体制造设备 4,860亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[93]
爱德万测试半导体测试设备(测试机)、分选机群马、埼玉1万1,286亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[94]
迪思科划片机、减薄机、抛光机,以及刀片、砂轮广岛(吴)、长野(茅野)4,369亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[95]
KOKUSAI ELECTRIC批量式(立式炉)及单片式成膜富山(砺波、富山)2,351亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[96]
荏原制作所CMP 设备、干式真空泵熊本(南关町)、神奈川(藤泽)精密、电子业务 3,423亿日元(截至 2025 年 12 月的财年)[97]
日立高新刻蚀设备、测长 SEM(CD-SEM)、检测设备山口(下松)、茨城(常陆那珂)—[98]
佳能i 线、KrF 光刻机,纳米压印栃木(宇都宫)、茨城(阿见)—[99]
尼康ArF 浸没式等光刻机埼玉(熊谷)—[100]
东京精密探针台、划片机、减薄机、CMP,三坐标测量机东京(八王子)、茨城(土浦)1,668亿日元,其中半导体制造设备 1,279亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[101]
爱发科溅射等真空成膜设备,真空零部件神奈川(茅崎)等2,691亿日元,其中半导体、电子元件制造设备 883亿日元(截至 2026 年 6 月的财年)[102]
大福洁净室内的搬运与存储滋贺(日野)—[103]
乐华(RORZE)晶圆搬运机器人、EFEM(铝零件在海外自有工厂内制)广岛(福山)、越南—[104]

销售额为财报(决算短信)的全年数据(亿日元以下四舍五入)。生产基地依据各公司公开资料和媒体报道整理,并非全部。

工艺零部件、陶瓷、石英的大型企业

静电卡盘和陶瓷零部件,是卫生陶瓷、弹簧、水泥、耐火材料等企业凭借本业技术发展壮大的领域。例如 TOTO 的陶瓷业务销售额为 674亿日元,不到全公司的一成,但营业利润达 289亿日元,超过全公司(537亿日元)的一半(截至 2026 年 3 月的财年)[111]。

公司面向半导体生产的产品主要基地规模参考
磁控(Ferrotec Holdings)石英、硅、陶瓷、CVD-SiC 零部件,金属零件代工,零部件清洗石川、熊本、山形、冈山等,以及中国半导体等设备相关业务 1,851亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[105]
京瓷静电卡盘、陶瓷加热器、光刻机用陶瓷滋贺(东近江)、鹿儿岛(川内)半导体相关零部件 3,794亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[106]
日本特殊陶业(Niterra)静电卡盘、真空吸盘、陶瓷加热器宫城(仙台、富谷)合并 7,312亿日元(半导体部分未披露,截至 2026 年 3 月的财年)[107]
日本碍子(NGK)AlN 基座(加热器)、静电卡盘爱知(半田、小牧)、岐阜(多治见),石川(能美)新建工厂半导体制造设备用产品 1,433亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[108]
新光电气陶瓷静电卡盘长野(中野)—[109]
住友大阪水泥静电卡盘(纳米复合陶瓷)千叶(市川、船桥)新材料业务 181亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[110]
TOTO静电卡盘等陶瓷产品—陶瓷业务 674亿日元,营业利润 289亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[111]
日本发条(NHK Spring)成膜用加热器、冷却板、喷淋头神奈川(伊势原)、长野(宫田)产业设备等业务 1,245亿日元(含半导体零部件,截至 2026 年 3 月的财年)[112]
东海碳素SiC 聚焦环(主要在韩国生产)熊本(石墨材料)精细碳业务 561亿日元(截至 2025 年 12 月的财年)[113]
三菱综合材料硅电极板、硅环(细孔、深孔)——[114]
东曹石英石英玻璃加工品山形(山形、米泽)非上市[115]
MARUWA石英舟、石英管,高纯度 SiC 部件爱知合并 745亿日元(半导体部分未披露,截至 2026 年 3 月的财年)[116]
CoorsTekSiC 炉用部件、硅部件、石英山形(小国)、神奈川(秦野)等非上市[117]

委托加工与表面处理的大型企业

以设备零部件委托加工为主业的上市公司并不多。

公司内容规模参考
Marumae设备真空零部件、高精度零部件的机械加工、焊接、表面处理一条龙生产(鹿儿岛县出水市)精密零部件业务 91亿日元(截至 2026 年 8 月的财年)[118]
TOCALO承接腔体内部件等的热喷涂(兵库县神户市)半导体、FPD 制造设备零部件热喷涂业务 248亿日元(截至 2026 年 3 月的财年)[119]

从委托加工上市公司身上能看出什么鹿儿岛县出水市的 Marumae 以从机械加工、焊接(含电子束焊接)到表面处理的一条龙生产方式,制造半导体制造设备的真空零部件。该公司说明:截至 2025 年 8 月的财年,耗材在其半导体领域销售额中占 71.8%,耗材大多每半年至一年更换一次,即使设备投资停滞,需求也相对坚挺。但它也写道,在上一轮调整期,连耗材也积压了过多库存,导致销售一度大幅下滑[122]。“能加工大件的设备”与“耗材的重复性订单”相结合,是考虑进入该行业的企业的目标之一,但耗材也并非与行业波动无关。

擅长半导体领域的机床、磨床厂商

晶圆的磨削和切割以迪思科和东京精密为主要厂商;磨床厂商冈本机床制作所的半导体相关设备约占其销售额的三成[120]。捷太格特推出了可同时磨削 2 片 SiC 等硬脆材料晶圆的磨床[121]。

从论文看新的加工技术

半导体加工正在功率半导体 SiC 和面向 AI 的先进封装两个领域发生重大变化。以下从日本的大学、研究机构和设备厂商的论文与技术报告中,挑选了与生产现场相关的内容。

SiC 晶圆:太硬,费时又费钱

据产综研(AIST)河田氏的解说,6 英寸晶圆每片的实际加工时间,SiC 为 40~54 分钟,Si 为 7~12 分钟,SiC 所需时间约为 5 倍。尤其是切割和 CMP(化学机械抛光)很慢,金刚石磨粒也会损耗,所以成本远不止 5 倍[73]。于是出现了以下技术。

技术新在哪里数值
激光切片(KABRA)用激光在晶锭内部形成分离层后剥离,不用线锯切削(迪思科)6 英寸每片约 3.1 小时 → 10 分钟,材料损耗约 180 µm → 80 µm,可得片数约 1.4 倍[75]。2017 年的论文中,损耗 260 µm → 120 µm,20 mm 晶锭可切片数 32 片 → 42 片[74]
精密激光切片查明了加工痕沿晶体偏角呈锯齿状形成的机理,并优化了条件(埼玉大学)切缝损耗 最大 36 µm[76]
多线放电切片不使用磨粒,逐根控制电极丝的放电,同时切割多片(三菱电机)最多同时切 20 片,加工成本比线锯降低约 80%(该公司的说明)[88]
超声辅助磨削在工具上叠加超声振动,降低磨削力,更容易实现延性域磨削磨削力最多降低 82.6%,亚表面裂纹深度降低 30.8%[80]
等离子体辅助抛光(PAP)用等离子体氧化表面使其变软,再用比 SiC 软的氧化铈磨粒去除,不使用抛光液(大阪大学)等离子体处理后硬度降至约 1/8[77]。GaN 上 Sq 0.28 → 0.08 nm[78]
催化剂表面基准刻蚀(CARE)只刻蚀催化剂基准板接触到的部位,从而复制基准板的形状,不用磨粒(大阪大学)SiC、GaN 上获得近乎原子级的平坦表面[79]
ELID 磨削一边电解修整砂轮一边磨削(理化学研究所)CVD-SiC 得到了无裂纹的表面,而烧结 SiC 即使切深 0.1 µm 仍残留损伤[81]

对零部件加工企业有用的地方SiC 不仅用于晶圆,也用于聚焦环、晶舟等设备零部件。正如 ELID 的研究所示,即使同为 SiC,制法(CVD 还是烧结)不同,加工难易度也不同,因此不要只看图纸上的材料名称就报价,要确认制法。超声辅助和金刚石刀具的数值,其思路也可直接用于零部件的磨削。

切割与减薄:隐形切割与先划片后减薄

滨松光子的隐形切割是将激光聚焦在晶圆内部形成改质层,再扩张胶膜使其裂开。它是不用水、不产生切屑的完全干式加工,没有切割余量[82]。根据迪思科的比较,SiC 划片如重视质量宜用超声划片,如重视生产效率宜用隐形切割(速度为超声划片的 5 倍以上)[83]。薄芯片则采用先切槽、再磨削背面使其分离的 DBG(先划片后减薄)来减少破裂[46]。

先进封装:nm 级平整度与玻璃上的孔

  • 混合键合:将芯片之间连同 Cu 电极和绝缘膜一起直接贴合的技术,成败取决于 CMP。要求贴合面 RMS 0.5 nm 以下,Cu 电极的凸出量 1 nm 以下[84]。某研究机构的三段 CMP 实现了 Cu 凹陷(碟形凹陷)小于 3 nm、粗糙度小于 0.3 nm[85]。
  • 玻璃芯基板的孔(TGV):先用激光使玻璃改质,再用药液溶蚀开孔。药液不同,孔的锥角分别为 34°(HF)和 63°(KOH)[86]。日本国内已开始提供 515×510 mm 大型玻璃芯基板的样品[87]。

设备零部件也有新的制造方法

  • 金属增材制造(3D 打印):有增材制造设备厂商的案例显示,把原本用钎焊制作的冷却板改为带随形流道的一体件后,温度均匀性提高了 60%[89]。切削工作随之转向成形后的精加工、密封面和螺纹。
  • 向 8 英寸过渡:SiC 衬底到 8 英寸后容易因加工变质层而翘曲,已有专利提出去除变质层、将翘曲控制在 50 µm 以下[91]。
  • 下一代材料:也已有研究用大气压等离子体将氧化镓加工到原子级平整(Sa 0.057 nm)[90]。

进入的入口:4 条路

半导体厂商(工厂=晶圆厂)存储、逻辑、功率半导体。购买设备,更换耗材制造设备厂商前道(成膜、刻蚀、清洗、光刻)与后道(磨削、切割、检测)单元、零部件厂商真空阀、气体部件、搬运机器人、陶瓷、石英、SiC 部件加工企业(Tier 2、3)切削、磨削、焊接、钣金、表面处理、精密清洗、装配图纸由客户提供,按既定工序持续生产也可直接供货给设备厂商耗材、再生·环、电极板、石英管·零部件清洗、重新喷涂·蚀损零部件重新制作只要工厂运转就有的订单晶圆厂商·晶锭切片·磨削、研磨、抛光加工靠专用设备和工具A设备厂商的协作企业按图加工零部件、单元B零部件厂商的外协陶瓷、石英、阀门C耗材、再生在工厂附近运转的业务D工厂设备、维护夹具、设备零件、维护
半导体供应链与机械加工企业的 4 个入口(示意图)。入口的划分以支援机构的梳理[11] 和各公司的采购方针[14][15] 为依据。
入口形式适合的企业
A 设备厂商的协作企业
(最常见)
从设备厂商或其一级、二级协作企业承接按来图加工的零部件和单元,从大型腔体、机架到小件都有能做铝和不锈钢切削、焊接、装配的企业;拥有大件加工设备的企业
B 零部件厂商的外协承接陶瓷、石英、阀门等零部件厂商的部分工序(钻孔、磨削、焊接)擅长硬脆材料磨削、金刚石刀具使用和细孔加工的企业
C 耗材、清洗、再生半导体工厂用过的设备零部件的精密清洗、喷砂、热喷涂、阳极氧化,以及蚀损零部件的再生[24]位于工厂附近的企业,拥有表面处理和清洗设备的企业
D 工厂设备、夹具、维护伴随半导体工厂新建、扩建而来的设备零件、夹具、维护用零件[11]擅长短交期单件的本地企业

设备厂商都公开了采购方针。东京电子写明要“广开门户,提供公平交易的机会”;开始新的交易时,会通过自有的自我评估(STQA)确认质量、成本、信息安全、人权和环境等,质量方面进行现场审核。交易开始后,重要零部件的供应商及出现过质量问题的供应商每 3 年接受一次现场审核[14]。SCREEN 明确表示会“积极考虑供应商的提案”[15]。迪思科[16]和 Rapidus[17]也公开了方针,营销前读一读,就能知道审核时会被问到什么。

已进入企业的例子(不公开公司名称)静冈县的一家铆焊和机械加工企业,凭借为重工和机床企业加工大件的技术,一条龙承制半导体、FPD 设备用的大型真空腔体和机架,涵盖铆焊、机械加工、表面处理直至氦检漏[23]。秋田县的一个零部件厂商集团,在不带入铜的生产线上,承接 CVD、刻蚀、溅射设备零部件的精密清洗和表面处理[24]。两者的共同点是,不只做“切削”,还掌握其前后工序。

所需的体制:审核时会被检查的内容

项目内容准备
质量从开发、设计阶段起把质量做进去,以及彻底的变更管理[14]ISO 9001 体系、工序表(QC 工程图)、检验报告、批次追溯
清洁度清洗、包装、保管的流程。洁净室的洁净度用 ISO 14644-1 的等级表示(5 级为每 1 m³ 中 0.5 µm 以上的粒子不超过 3,520 个)[21]自有洁净棚,或与清洗公司合作
人权、劳工、环境同意 RBA(责任商业联盟)行为准则第 8 版[20][14],ISO 14001 等环境管理体系[14]工时、安全、环境的记录
冲突矿产、化学物质冲突矿产调查表(CMRT、EMRT),所含化学物质的信息及不使用保证书[14][15]。化学物质信息传递正从 chemSHERPA 转向新平台(CMP)[22]确保能从供应商处拿到材料、电镀、油品的调查表
BCP、供应灵活性BCP 评估,应对需求的骤增骤减,持续降低成本[14]替代机床和外协厂、库存的持有方式
信息安全、出口管制面向供应商的信息安全标准,遵守进出口相关法规[14]规定图纸数据的存放位置和可查阅人员。即使是零部件,也可能被要求做该非判定(出口管制物项判定)

与飞机和医疗器械不同,半导体零部件加工没有“不取得就进不去”的行业认证。取而代之的是,各公司的审核和调查表成为入口。北海道的支援机构也是按照先介绍行业规则、再由协调员到现场指导、然后进入个别对接的顺序提供支持[12]。

展会、商谈会与支援

  • SEMICON Japan 2026:2026 年 12 月 9~11 日,东京国际展览中心(Tokyo Big Sight)。第 50 届,免费入场(需事前登记)[18]。设备、零部件、材料厂商齐聚一堂,可以一次看清哪家公司在做什么。
  • 地区联盟:九州、东北、中国地区(日本)、中部、北海道、关东都有以人才培养和强化供应链为目的的联盟[10]。九州的“挑战市场”(Challenge Market)是中小企业针对大企业技术需求提出方案的商洽会,2024 年度(东京电子九州)有 31 家企业参加,10 件持续商洽,2 件成交[10]。
  • 北海道:北海道中小企业综合支援中心(HSC)设立了半导体相关交易支援室,由 10 名半导体订单协调员(原大企业高管、技术人员等)撮合交易(2025 年 143 件)[11]。2026 年 10 月 27 日将在札幌举办扩大订单商洽会[13]。
  • 设备投资补贴:原来的制造补助金已改为“新事业拓展、制造商业服务补助金”。新事业拓展类补助率为 1/2,上限按员工人数为 2,500万~7,000万日元(加薪特例最高 9,000万日元),下限 750万日元,第 1 次截止日期为 2026 年 10 月 30 日。如未达到加薪等目标,可能被要求返还[19]。

征集时间和条件每年都会变化。申请前请在各机构的网站上确认。

进入的顺序(参考)

0–3个月确定目标· 大件还是精密件、耗材· 附近的设备、零部件厂商· 在展会、洽谈会上打听3–12个月补充体系· 清洗、包装流程· 批次追溯、变更管理· 测量与检漏半年~1 年半试制与审核· 工厂审核、质量协议· 试制、检验报告· 确定并冻结工艺1 年~量产与拓展· 交期与质量业绩· 自行做清洗、表面处理· 拓展到耗材、再生
进入行业的大致步骤。所需时间因企业和客户而有很大差异,未找到公开的统计数据。
  1. 确定目标:做大件的腔体、机架,还是精密零件、耗材,还是清洗、再生?根据本公司的设备,以及附近设备、零部件厂商的工厂来决定。
  2. 了解行业规则:阅读采购方针、行为准则、绿色采购标准,并在展会和地方洽谈会上打听“现在缺什么”。
  3. 补充体系:清洗与包装流程、批次追溯、变更申请、测量记录。如果要把检漏或清洗外包,先确定合作伙伴。
  4. 试制与审核:接受自我评估和工厂审核,提交试制品和检验报告书。已确定的工艺不擅自更改。
  5. 量产与拓展:积累交期和质量方面的业绩,把清洗、表面处理、组装转为自制,或增加耗材、再生业务,增强抵御周期波动的能力。

现实的门槛与对策

门槛内容对策示例
景气波动2009 年全球约减少 46%,面向日本国内工厂的销售额在 2019 财年减少 29.5%[5][4]让半导体只占销售额的一部分。发展耗材、再生业务,选用可与其他行业共用的设备
洁净度与划伤即使是微小划伤也会积存污垢,因此“严禁划伤”。管理范围包括清洗和包装[23]保护垫、夹具、搬运流程。与清洗外包商合作
价格与灵活性同时要求持续降低成本和应对需求的急剧增减[14]缩短换产准备时间、自动化、一人多机
成交之路很窄洽谈会上接洽 31 家 → 后续跟进 10 件 → 成交 2 件的实例[10]用一页纸展示擅长的加工,用试制展示实力
人才争夺大企业工厂附近工资上涨,JASM 的起薪比全国平均高 5 万日元以上[7]自动化与多能工化。扩大招聘地域
需求的时间点工厂厂房的竣工一直决定着设备搬入的时间[4]了解客户工厂的计划,把握设备投资的时机
补助金的条件设有加薪、附加价值目标。新事业拓展类别下限 750 万日元[19]小额投资用自有资金或其他制度

适合与不适合的企业

适合
  • 在铝薄壁、大件、不锈钢焊接、硬脆材料磨削中,至少有一项不输给其他公司
  • 已养成不产生划伤、磕碰痕的装夹准备和搬运习惯
  • 能做到检验报告书、批次追溯、工艺冻结
  • 附近有清洗、表面处理、检漏的合作伙伴
  • 能以景气波动为前提做资金计划
需要慎重考虑
  • 想一下子把大部分销售额转向半导体
  • 一直靠现场判断不断更换刀具、油品、工艺来改善
  • 不清楚切削油和外包电镀的成分
  • 只看眼下的繁荣,就想马上购买大型设备

常见问题

半导体零部件加工需要什么认证吗?
没有像航空领域 JIS Q 9100 那样全行业通用的必备认证。各设备厂商会要求自我评估和现场审核、同意行为准则、填写冲突矿产、化学物质调查表,以及具备 ISO 14001 等环境管理体系[14]。有 ISO 9001 的话,审核会推进得更快。
没有洁净室就接不到订单吗?
常见的做法是加工本身在普通工厂进行,清洗、包装在洁净室进行。本公司没有洁净室的话,与精密清洗公司合作较为现实。也有规格要求在 ISO 5 级的房间里组装,因此要通过图纸和规格书确认要求到什么程度[25]。
从哪种材料开始比较好?
如果是车床、加工中心企业,先从占设备零部件大半的铝(A5052、A6061)和不锈钢(SUS316L)开始。陶瓷、石英、SiC 在刀具、机床和工时估算上都不一样,要先补充磨削和超声加工的设备与经验再做[49][72]。
如何应对景气波动?
只要工厂在运转,耗材、再生的工作就会持续产生,与设备零部件组合起来可以缓和波动。从事代工加工的上市企业也在提高耗材的比例来减小波动[122]。
航空器、医疗器械的经验能用上吗?
变更管理、记录、洁净度的思路是共通的。航空器、医疗器械、防卫的行业进入文章也请一并阅读。

表面处理的尺寸见 《黑染、电镀的识别方法与尺寸变化》,刀具涨价见 钨价飙升与硬质合金刀具,材料的性质见 材料数据库一文中。

参考资料

  1. SEMI《全球半导体制造设备销售额 2025 年增长 15%,达到 1,350 亿美元》(2026 年 4 月)
  2. SEMI《全球半导体制造设备 2026 年年中市场预测:半导体制造设备市场预计 2028 年达到 2,290 亿美元》(2026 年 7 月)
  3. SEMI《2026 年第二季度全球半导体制造设备销售额同比增长 23%》(2026 年 9 月)
  4. 日本半导体制造装置协会(SEAJ)《2026 年 7 月发布 半导体、FPD 制造设备需求预测(2026–2028 财年)》(PDF)
  5. SEAJ《Back Number 半导体制造设备 全球规模(销售额)》(PDF)
  6. 经济产业省《AI、半导体产业基础强化框架》
  7. 经济产业省 商务信息政策局《半导体政策动向》(中部经济产业局刊载,PDF)
  8. Rapidus“IIM”
  9. 经济产业省 商务信息政策局《关于 Rapidus 株式会社的业务进展情况》(PDF)
  10. 铃木清己《为实现新生“硅岛九州”的九州与大分的挑战》(地方创生论坛资料,PDF)
  11. 北海道中小企业综合支援中心(HSC)《扩大半导体相关交易、促进进入的举措》(截至 2026 年 6 月,PDF)
  12. 北海道中小企业综合支援中心(HSC)《扩大半导体相关交易、促进进入的举措》(截至 2025 年 6 月,PDF)
  13. 北海道中小企业综合支援中心、北海道机械工业会《北海道扩大接发包洽谈会 2026 发包企业招募指南》(PDF)
  14. 东京电子《供应链管理》
  15. 迪恩士(SCREEN Holdings)《供应链管理》
  16. 迪思科《采购基本方针》
  17. Rapidus《采购方针》
  18. SEMI《第 50 届“SEMICON Japan 2026”开设新区域“TechLeaders Arena”》(2026 年 10 月)
  19. 日本中小企业基盘整备机构《新事业拓展、制造商业服务补助金》
  20. Responsible Business Alliance“Code of Conduct”
  21. ISO 14644-1:2015“Cleanrooms and associated controlled environments — Part 1: Classification of air cleanliness by particle concentration”
  22. CMP 联盟(原 chemSHERPA)《关于 chemSHERPA》
  23. 东金属产业《大型真空腔体设计、制作的要点》
  24. YURI Holdings《精密清洗》
  25. Swagelok《Ultrahigh-Purity Process Specification (SC-01)》MS-06-61(PDF)
  26. Swagelok《Special Cleaning and Packaging (SC-11)》MS-06-63(PDF)
  27. SEMI F19“Specification for the Surface Condition of the Wetted Surfaces of Stainless Steel Components”
  28. SEMI F20“Specification for 316L Stainless Steel Bar, Forgings, Extruded Shapes, Plate, and Tubing for Components Used in General Purpose, High Purity and Ultra-High Purity Semiconductor Manufacturing Applications”
  29. SEMI F1“Specification for Leak Integrity of High-Purity Gas Piping Systems and Components”
  30. SEMI F78“Practice for Gas Tungsten Arc (GTA) Welding of Fluid Distribution Systems in Semiconductor Manufacturing Applications”
  31. VAT《UHV gate valve Series 108》Product data sheet(PDF)
  32. 米思米(MISUMI)《高纯度气体用焊接不锈钢配管》
  33. JEDEC“J-STD-046A Customer Notification Standard for Product/Process Changes by Electronic Product Suppliers”
  34. 美国专利 US11332827B2《Gas distribution plate with high aspect ratio holes and a high hole density》
  35. 美国专利 US8221579B2《Method of reusing a consumable part for use in a plasma processing apparatus》
  36. 东曹石英《制造工艺》
  37. 日本精细陶瓷(Japan Fine Ceramics)《超精密平坦加工》(Ipros)
  38. EE Times Japan《半导体高端化带来更多用武之地:京瓷的设备用陶瓷》(2026 年 8 月)
  39. 神户制钢所《ALHIGHCE》产品目录(PDF)
  40. 富商(Tomisho)《腔体的阳极氧化加工》(Ipros)
  41. 九州经济产业局《会员企业信息》(竹下,PDF)
  42. 大隈《导入案例 株式会社 ALI》
  43. 京都大学 纳米技术中心据点 使用报告书《经各种表面处理的铝合金的表面特性》(F-20-YA-0026,PDF)
  44. 京都大学 纳米技术中心据点 使用报告书《铝合金的真空特性》(F-19-YA-0026,PDF)
  45. 天野等《关于工艺气体等离子体照射对钇系陶瓷影响的研究》等离子体、核聚变学会 第 37 届年会 2P40(PDF)
  46. 迪思科《DBG Process》
  47. 大隈《MCR-S》
  48. 牧野铣床制作所《V56i》
  49. DMG森精机《ULTRASONIC》
  50. 沙迪克《关于耗材的 FAQ》
  51. 沙迪克《K1BL》
  52. 冈根、浅井《细孔电火花加工的最新技术》三菱电机技报(2011,PDF)
  53. 旭金刚石工业《Electroplated Wheels “Ceramate Series”》
  54. 日进工具《硬脆材料加工用平头立铣刀 DCMS》
  55. 日进工具《PCD 立铣刀、金刚石涂层系列》
  56. 佑能工具(Union Tool)《加工案例 UDCMX 陶瓷(氧化铝)孔加工》(PDF)
  57. 三菱综合材料《New product ALIMASTER》(2021 年 9 月)
  58. OSG《AE-VTS-N》
  59. 住友电工硬质合金《铝合金加工用》
  60. 迪思科《DFG8640》产品目录(PDF)
  61. 东京精密《Polish Grinder PG3000RMⅡ》产品目录(PDF)
  62. 东京精密《AD3000T-PLUS》产品目录(PDF)
  63. Takatori《MWS-SiC12F》
  64. 则武《面向 SiC 半导体的磨削、抛光工具》
  65. 岸本正俊《[技术萌芽]晶圆加工的固结磨粒化》则武(PDF)
  66. 迪思科《NBC-Z》
  67. 迪思科《超声波划片应用》
  68. 三丰《超高精度 CNC 三坐标测量机(LEGEX 匠型号)发售》(2023 年 9 月)
  69. 爱发科《HELIOT900 规格》
  70. 日本机械振兴协会 技术研究所《关于硬脆材料延性域切削的研究》(PDF)
  71. O. Faehnle 等,Advanced Optical Technologies(2017)
  72. 中部经济产业局 Go-Tech 项目《半导体制造用陶瓷、石英玻璃关键零部件的高精度、高效率加工技术开发》(2025 财年,PDF)
  73. 河田研治《功率器件用 SiC 晶圆加工的现状与展望》精密工学会志 Vol.89 No.5, pp.359-362(2023)
  74. 平田和也、山本凉兵、西野曜子、村泽尚树、高桥邦充《SiC 晶锭的新型激光切片:KABRA 工艺的开发》精密工学会志 Vol.83 No.9, pp.829-832(2017)
  75. 迪思科《KABRA:迈向 SiC 晶圆制造工艺新时代》
  76. 山田洋平、池田知阳、池野顺一《SiC 的精密激光切片 第 1 报:考虑切缝损耗的切片方法研究》砥粒加工学会志 Vol.64 No.12, pp.635-642(2020)
  77. 山村和也等《利用等离子体辅助抛光实现 4H-SiC (0001) 表面的高品质精加工》砥粒加工学会志 Vol.55 No.9, pp.534-539(2011)
  78. 山村和也《难抛光材料的无浆料等离子体辅助抛光与电化学机械抛光》精密工学会志 Vol.88 No.6, pp.440-444(2022)
  79. 山内和人、佐野泰久、有马健太《利用催化剂表面基准刻蚀实现单晶 SiC、GaN、ZnO 表面的平滑化》表面科学 Vol.33 No.6, pp.334-338(2012)
  80. Z. Ye 等《Precision Grinding Technology of Silicon Carbide (SiC) Ceramics by Longitudinal Torsional Ultrasonic Vibration》Materials 16(16), 5572(2023)
  81. Y. Dai、H. Ohmori 等《Subsurface Properties of Ceramics for Lightweight Mirrors after ELID Grinding》JSME International Journal Series C, 47(1), pp.66-71(2004,摘要)
  82. 内山直己《完全干式工艺的激光划片技术——隐形切割》精密工学会志 Vol.76 No.7, pp.747-750(2010)
  83. 迪思科 营业技术部《面向 SiC 的划片技术》DISCO Technical Review TR16-05(2016,PDF)
  84. 藤野真久《混合键合技术(三维封装基础讲座 第 5 讲)》日本电子封装学会志 Vol.26 No.4, pp.374-379(2023)
  85. S. Chaki Roy 等《Cu and barrier CMP process development with fine 1μm Cu bond pad and 2.5 μm pitch for Wafer-to-wafer Hybrid Bonding》IEEE EPTC 2023(摘要)
  86. J. Kim 等《The Effects of Etchant on via Hole Taper Angle and Selectivity in Selective Laser Etching》Micromachines 15(3), 320(2024)
  87. MONOist《日本电气硝子的 TGV 玻璃芯基板》(2025 年 5 月)
  88. MONOist《将 SiC、GaN 切片工序的生产率提高 60%:三菱电机的多线电火花加工机》(2019 年 9 月)
  89. EOS“3D Printing for Semiconductors”
  90. Y. Zhang 等《Towards atomic-scale smooth surface manufacturing of β-Ga2O3 via highly efficient atmospheric plasma etching》Int. J. Extreme Manufacturing 7(1), 015105(2025,摘要)
  91. 美国专利 US11859313B2《8-inch SiC single crystal substrate》(力森诺科)
  92. 东京电子 截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年4月30日)
  93. 迪恩士(SCREEN Holdings)截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年5月13日)
  94. 爱德万测试 截至2026年3月财年 决算短信〔IFRS〕(合并)(2026年4月27日)
  95. 迪思科 截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年4月22日)
  96. 国际电气(KOKUSAI ELECTRIC)截至2026年3月财年 决算短信〔IFRS〕(合并)(2026年5月13日)
  97. 荏原制作所 截至2025年12月财年 决算短信〔IFRS〕(合并)(2026年2月13日发布)
  98. 日立高新 笠户地区 半导体制造设备新生产楼竣工的新闻稿
  99. 佳能 截至2025年12月财年 决算概要
  100. 尼康 截至2026年3月财年 决算资料(IR 资料库)
  101. 东京精密 截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年5月13日)
  102. 爱发科 截至2026年6月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年8月14日)
  103. 大福 决算/截至2025年12月的全年销售额6607亿日元,创历史新高
  104. 乐华(RORZE)截至2026年2月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)
  105. 磁控(Ferrotec Holdings)截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年5月15日)
  106. 京瓷 截至2026年3月财年 决算短信〔IFRS〕(合并)(2026年4月30日)
  107. 日本特殊陶业(Niterra)截至2026年3月财年 决算短信〔IFRS〕(合并)(2026年4月30日)
  108. 日本碍子(NGK)截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年4月30日)
  109. 新光电气 关于增强静电卡盘产能的通知(2021年10月4日)
  110. 住友大阪水泥 截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年5月13日)
  111. TOTO 截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年4月30日)
  112. 日本发条《截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)》部分更正(2026年5月25日,附更正后全文)
  113. 东海碳素 截至2025年12月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年2月12日)
  114. 三菱综合材料 硅加工品
  115. 东曹 新闻稿(东曹石英 米泽制造所 新厂房建设)
  116. MARUWA 截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年5月8日)
  117. CoorsTek 半导体应用指南(日文)
  118. Marumae 截至2026年8月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年10月9日)
  119. TOCALO 截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年5月11日)/决算说明会资料(2026年5月20日)
  120. 冈本工作机械制作所 截至2026年3月财年 决算短信〔日本会计准则〕(合并)(2026年5月13日)
  121. 捷太格特机械系统《SiC 晶圆用磨床 DDT832》发布的新闻稿(转载)
  122. Marumae《MARUMAE 报告 2026》(综合报告书,PDF)

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